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Si5853CDC
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
N otes:
P DM
t 1
0.1
0.01
0.05
0.02
Single P u lse
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 1 00 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Document Number: 69774
S10-0547-Rev. B, 08-Mar-10
www.vishay.com
7
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